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演讲人

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殷大望先生

 

      1999年毕业于华中科技大学,2001年加入方正集团,曾就职于方正科技任产品经理,大客户销售经理;2005年开始就职于方正PCB,历任销售经理,销售总监和CMO等职务。201210月加盟方正微电子,任职CMO

 

黄宇萍先生

 

台湾国立中央大学物理专业硕士,现任深圳方正微电子有限公司副总裁,先后供职于台湾旺宏电子股份有限公司(技术开发部经理)、华润上华微电子(运营副总裁);有丰富的半导体专业技术和管理工作经验。目前担任深圳市新能源专项(IGBT集成芯片研发及产业化)的项目负责人,荣获政府资助经费400万元;负责组织了深圳市龙岗区科技研发项目(0.4um Flat Cell集成电路工艺平台开发项目)的验收工作,荣获政府资助经费50万元;期间还负责组织方正微电子申报了多项广东省、深圳市、龙岗区科技计划项目,具有丰富的科研项目管理经验。

 

吴利民先生

 

早年毕业于西安理工大学微电子学与固体电子学,工学硕士。

早年曾供职于北京中星微电子股份有限公司和杭州士兰微电子股份有限公司。2006年加入华为技术有限公司,期间分别担任过芯片产品规划经理及终端产品规划经理,负责过移动终端芯片的规划及移动宽带产品的全球市场拓展工作。

2009年参与创建深圳华腾信科通信技术有限公司,担任副总经理,全面负责公司的运营管理工作,积累了大量的市场拓展、生产管理及供应链整合的管理经验。

201111月加盟深圳市半导体行业协会,任职副秘书长,同时出任深圳市思锐达传媒有限公司总经理,全面负责公司的战略规划、市场调研、咨询顾问、公司运营管理等工作。期间承担了多家上市公司的战略规划咨询业务和展会媒体宣传工作。对于基于移动互联网、通讯及半导体技术的电子产业未来演进趋势,有深入的研究及理解,对互联网下的专业性媒体有独特的理解,是国内电子行业专业创新媒体领航人之一。

 

江灏先生

 

江灏,中山大学教授,博士生导师。2003 年于日本名古屋工业大学获得博士学位,先后就职于日本科学技术交流财团智能团队创成事业部和名古屋工业大学极微器件与机能系统研究中心,任职研究员、助理教授。2007 年受聘于中山大学物理与工程学院,从事III 族氮化物半导体材料、日盲紫外光探测器与高亮度功率型LED 的研究工作,曾先后完成和承担国家“863 计划”、国家“973 计划”课题、国家自然基金项目等多项课题,率先在国内研制出关键指标处于世界领先水平的AlGaN 日盲紫外雪崩光电二极管探测器。以第一作者、通讯作者在J.Appl.Phys.Appl.Phys.Lett.等国外学术期刊发表论文30 余篇,申请日本特许发明专利1项、国家发明专利16 项(授权9 项)。

 

张立荣先生

 

    1989年毕业于陕西微电子学研究所计算机器件与设备专业,获得硕士学位,高级工程师.方正微电子技术专家,方正集团技术专家,深圳市龙岗区优秀专家.同时还担任深圳市科技创新委专家库专家,深圳市发改委专家库专家,深圳市科技专家委员会专家库专家,. 25年微电子专业工作经验,专业基础知识全面,精通从设计,工艺,到测试整个芯片加工技术;担任多项政府项目的负责人.现任方正微电子有限公司产品开发处处长职务.主要负责公司研发战略的制定,从事新工艺平台和新产品的开发等工作.曾荣获深圳市龙岗区科技创新奖,方正集团技术创新奖,方正“标兵”,方正微电子总裁特别奖等.

 

潘光燃先生

 

2004年毕业于电子科技大学微电子与固体电子学院微电子技术专业,历任吉林华微电子股份有限公司工艺主管,深圳方正微电子有限公司工艺主管、产品开发处BCD研发科长、功率集成部经理,从事集成电路制造工艺及相关产品的研发工作,并担任多个政府科研项目的技术负责人,主要负责高压集成电路的工艺研究。截至20148月,以第一发明人身份主持申报中国专利49项,美国专利4项,已授权中国专利7项,美国专利1项。20145月获得深圳市“五一”劳动奖章。

 

马万里先生

 

      2005年毕业于电子科技大学微电子与固体电子学院,微电子技术专业,研究生学历,高级工程师。2007年加入方正微电子。历任光刻部工程师/代科长、产品工程部工程师/副科长、产品开发处功率器件部副科长/副经理。先后获得方正集团高级技术人员、资深技术人员、技术专家资格。2009年至今,已经申请国发明专利102项,其中第一发明人身份申请的有68项,已获正式授权10项。近3年来,公开发表学术论文11篇(核心期刊6篇),其中以第一作者身份发表8篇。参与5项政府科研项目开发。先后获得深圳市龙岗区创新之星、方正集团创新之星等称号。同时还是深圳市科技创新委员会、深圳市科技专家委员会的专家库专家,中国电子学会会员。

 

陈建国先生

 

设计服务部经理,2002年毕业于电子科技大学:微电子科学与工程系,12年半导体专业工作经验。先后服务于宁波中纬(工艺整合课Section Manager),西安西岳(工艺整合部经理),方正微电子(技术研发部经理,设计服务部经理);具有丰富的工艺研发、器件结构设计与分析、产品失效分析经验;曾主要负责研发的工艺有HVLDMOSVDMOSBICMOSCMOS1.0um0.35um),GaN器件研发,高压40V200V沟槽肖特基,1.0um800V BCDMOS工艺。主导和参加申报了多个国家、广东省、深圳市、龙岗区科技计划项目。申请国家专利超过20项,与北大合作在IEEE发表关于氮化镓器件优化的论文一篇。

 

杨胜帆先生

 

现  职:拓墣产业研究所  所长 暨 亚太产业分析专业协进会(APIAA) 理事 暨 台湾国家发展委员会资金运用小组委员  暨 台湾国家科学委员会国家实验研究院咨询委员 暨 台湾证劵交易所股份有限公司上市审议委员

学  历:纽约哥伦比亚大学统计研究所

资  历:产业研究相关经验12年以上

研究领域:高科技电子产业趋势(PanelDRAMLED…)

专题演讲:中国大陆、台湾、韩国、日本演讲超过300场次

作  品:产业研究报告、专题报告100本以上

项目研究:

台湾政府旗舰型计划(2015&2020产业规划、电动车发展规划、 两岸物联网竞合)

两岸民间企业研究规划(智能手机、智能 电视、创新商业模式、 PanelDRAMLED…)

 

媒体采访:

  - 台湾重量级科技及财经媒体1,000次以上

   广播电视:非凡电视、东森电视、年代电视、台视、News98 、环宇广播电台

   平面媒体/通讯社:商业周刊、今周刊 、天下、经济日报、工商时报、中央社

  - 中国大陆

   广播电视:中央电视台、厦门卫视、中央人民广播电台

   平面媒体: 21世纪经济报导、中国电子报、海峡西岸杂志

 

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